2018年8月15日 科研情况:长期从事先进功能材料薄膜制备和离子注入改性方面的科学研究,重点是宽禁带半导体材料与器件。主持的科研项目有:1. 2002年,中国科学院核分析技术研究...
在200keV重离子加速器上,用120—360keV的H,N,Ar和Mo离子注入C60薄膜.对注入后薄膜的拉曼谱进行了分析.结果表明,不同离子注入C60薄膜后,C60的1469cm-1特征峰随注入剂量...
秘书长石瑛 教授级高级工程师,国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备与成套工艺”(02专项)总体组专家,北京多维电子材料技术开发与促进中心主任,中国半导体行业协会支撑业分会秘书长,有研新...
关键词: 表面电阻率聚对苯二甲酸乙二醇酯离子注入 作者机构: [ 1 ][卢凤纪]西安交通大学%西安交通大学 西安 [ 2 ][遆宁]西安交通大学%西安交通大学 西安 [ 3 ][李平]西安交通...
不同剂量和退火条件下Mn^+注入p-GaN薄膜的电、磁特性研究 对在蓝宝石衬底上MOCVD生长的P型GaN薄膜,用能量为90keV的Mn^+离子进行室温下的磁性离子注入掺杂,注入剂量为1×10^15...
【摘要】:主要研究了Ar~+、As~+离子注入PET薄膜后对其导电性能的影响及其导电机理。在PET膜上分别注入了不同种类、不同剂量的离子,测定了其注入后的表面电阻率,研究了注入离...
摘要:采用真空蒸镀法在SiO2表面制备非 晶态碳纳米薄膜,考察了碳离子注入对非晶态碳薄膜与基体结合强度及摩擦学性能的影响, 并采用X射线光电子能谱表征了碳薄膜/基体的界面化...
另外,体外抑制试验也显示,C60不能抑制K562R细胞膜上超标达的P-gp调节的罗丹明-123的转运,暗示C60不是P-gp的抑制剂。理论研究进一步揭示了C60与P-gp的相互作用机制,发现C60的...
2022年12月26日 在本届IEDM上,北京大学集成电路学院共有11篇高水平学术论文入选,研究成果覆盖了先进逻辑器件、新型存储器件及可靠性、感存算融合器件等多个领域。北京大学是本届IEDM大会国际上录...
2021年11月18日 对此,研究团队设计了一种基于N离子注入的新改性策略以产生新的化学基团,来实现超高负摩擦电聚合物。改性氟化聚合物在摩擦电系列中表现出最负的摩擦电极性。改性后的PTFE和FEP薄膜...
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